为什么热氧化工艺一般要掺氯？
发布时间：
2025-01-06
什么是热氧化工艺？
热氧化工艺是在半导体制造过程中用于在晶圆表面生成氧化硅（SiO₂）层，分为湿氧与干氧，主要在芯片制程中用来做绝缘层如栅氧化层，场氧化层，STI隔离层，或保护钝化层等。
DCE是什么？
DCE指反式，1,2-二氯乙烯，含氯有机化合物，化学式为C2H4Cl2，是热氧化掺氯工艺中提供氯元素的物质。
除了DCE，早期还有氯气，三氯乙烯(TCE)，1,1,1三氯乙烷(TCA)，HCl等均可作为掺氯物质。但是 TCE是致癌物质已不再使用，TCA会对臭氧造成破坏，因此用HCl与DCE作为掺氯物质使用较多。
热氧化工艺掺氯有什么作用？
1，增强氧化速度，能使氧化速率提升 10%~15%。
2，钝化可动离子，特别是Na+，K+，钠，钾离子在电场作用下移动到硅片表面，影响电学特性，导致器件不稳定。而掺氯可固定可动离子，避免其移动。
3，中和Si-SiO2界面处电荷，减少氧化层缺陷。
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